现代 DRAM 内存发明人罗伯特·登纳德逝世，享年 91 岁现代 DRAM 内存发明人罗伯特·登纳德逝世，享年 91 岁_热点关注

admin

2024-05-06 14:18:11

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IT之家 5 月 6 日消息，现代 DRAM 内存发明人罗伯特・登纳德（Robert Dennard）于 2024 年 4 月 23 日逝世，享年 91 岁。

罗伯特・登纳德于 1932 年 9 月 5 日出生于美国得克萨斯州特雷尔。其于 1958 年获得卡内基理工学院（IT之家注：现卡内基梅隆大学）电气工程博士学位，并加入 IBM 担任研究员。

在 1960 年代，计算机对内存的需求日益提升，与此同时流行的磁芯内存正面临密度、成本、性能的极限；

登纳德当时正在 IBM 从事金属氧化物半导体（MOS）内存的开发，但此时的方案存在速度过慢、消耗过大芯片面积的问题。

在一次偶然中，登纳德脑中浮现了一个灵感：可以使用单个晶体管中电容器的带电正负记录数据，并通过反复充电实现数据的动态刷新。这一概念成为日后 DRAM 内存的基础。

登纳德和 IBM 于 1968 年获得了 DRAM 专利，该技术在 1970 年投入商用后以其低成本、低功耗、结构简单的优势使磁芯内存迅速过时，推动了信息电信技术的快速进步。

DRAM 内存同第一批低成本微处理器一道加速了计算机的小型化，以 Apple II 为代表的早期个人电脑得以在商业上获得成功，也为现在的移动端设备打开了大门。

登纳德还提出了著名的登纳德缩放定律，指出随着制程提升，半导体芯片的功耗密度不变。这条规律统治了半导体业界 30 多年，同摩尔定律、阿姆达尔定律并称为半导体行业的三大定律。

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